經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗(yàn)室研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年多的技術(shù)攻關(guān)，8月12日，首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，晶盛第三代半導(dǎo)體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，這是晶盛在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得的又一標(biāo)志性成果。
碳化硅器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。但“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”的碳化硅，對(duì)生產(chǎn)工藝有著極其苛刻的要求，而大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業(yè)的“卡脖子”技術(shù)。
此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。不但成功解決了8英寸SiC晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題，同時(shí)還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。
SiC晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)自主可控是搶占未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)制高點(diǎn)的關(guān)鍵！一直以來(lái)，晶盛機(jī)電始終堅(jiān)持“打造半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”的初心使命，通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的設(shè)備、熱場(chǎng)和工藝技術(shù)，不斷延伸產(chǎn)品系列。從2017年開(kāi)始布局碳化硅業(yè)務(wù)，到2020年建立長(zhǎng)晶和加工中試線，SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸，進(jìn)一步縮小國(guó)內(nèi)外技術(shù)差距，保障我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)上的自主可控。
科技創(chuàng)新，為國(guó)擔(dān)當(dāng)！此次8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功，不僅極大地提升了晶盛在SiC單晶襯底行業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，也為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化發(fā)展添磚加瓦，為喜迎黨的二十大獻(xiàn)禮！